Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Activate to Precharge Delay (tRAS) 38 Количество чипов модуля 8 Двухсторонняя установка чипов Напряжение питания 1.2 В Гарантия 6 месяцев
***
Тип компьютера : Комплектующие Типы комплектующих : Модули памяти Состояние : Новый
icd uz